La tecnología de memoria actual usa una señal de sincronización para realizar las funciones de lectura/escritura de manera que siempre está sincronizada con un reloj del bus de memoria, a diferencia de las antiguas memorias FPM y EDO que eran asíncronas. La implementación DRAM se basa en una topología de circuito eléctrico que permite alcanzar densidades altas de memoria por cantidad de transistores, logrando integrados de cientos o miles de megabits. La conexión con los demás componentes se realiza por medio de un área de pines en uno de los filos del circuito impreso, que permiten que el módulo al ser instalado en un zócalo o ranura apropiada de la placa base, tenga buen contacto eléctrico con los controladores de memoria y las fuentes de alimentación. PC1066: RIMM RDRAM, funciona a un máximo de 533 MHz. Burst Extended Data Output RAM (BEDO-RAM) fue la evolución de la EDO-RAM y competidora de la SDRAM, fue presentada en 1997. PC4-17000 o DDR4-2133: funciona a un máx de 2133,3 MHz. RAM son una siglas en inglés que significan “Random Access Memory” al traducirlo al español obtenemos “Memoria de Acceso Aleatorio”.Junto a la Memoria ROM, forman el espacio del terminal … PC4-25600 o DDR4-2666: funciona a un máx de 2666,6 MHz. PC2100 o DDR 266: funciona a un máx de 266,6 MHz.
PC3-21300 o DDR3-2666: funciona a un máx de 2666,6 MHz. Información sobre RAM en el Diccionario y Enciclopedia En Línea Gratuito. Era un tipo de memoria que usaba generadores internos de direcciones y accedía a más de una posición de memoria en cada ciclo de reloj, de manera que lograba un 50 % de beneficios, mejor que la EDO. PC2-4200 o DDR2-533: funciona a un máx de 533,3 MHz. PC3-8500 o DDR3-1066: funciona a un máx de 1066,6 MHz. La mayoría de placas base no poseen dicho soporte. Una característica especial de algunos controladores de memoria, es el manejo de la tecnología canal doble o doble canal (Dual Channel), donde el controlador maneja bancos de memoria de 128 bits, siendo capaz de entregar los datos de manera intercalada, optando por uno u otro canal, reduciendo las latencias vistas por el procesador.
PC3-14900 o DDR3-1866: funciona a un máx de 1866,6 MHz. Esta característica ha promovido la modificación de los controladores de memoria, resultando en la aparición de nuevos chipsets (la serie 865 y 875 de Intel) o de nuevos zócalos de procesador en los AMD (el 939 con canal doble , reemplazo el 754 de canal sencillo).
Los módulos de RAM, conocidos simplemente como memoria RAM, son el componente del hardware que incluye circuitos integrados que se sueldan al circuito impreso. La Memoria RAM en todos los casos, actúa como una memoria de corto plazo ya que esta se usa para guardar todos los archivos y datos generados para el funcionamiento de aplicaciones que se mantengan abiertas al mismo tiempo en el equipo. Los equipos de gamas media y alta por lo general se fabrican basados en chipsets o zócalos que soportan doble canal o superior, como en el caso del zócalo (socket) 1366 de Intel, que usaba un triple canal de memoria, o su nuevo LGA 2011 que usa cuádruple canal. La memoria de acceso aleatorio (Random Access Memory, RAM) se utiliza como memoria de trabajo de computadoras y otros dispositivos para el sistema operativo, los programas y la mayor parte del software. Entre todas forman el bus de memoria que conecta la RAM con su controlador: Algunos controladores de memoria en sistemas como PC y servidores se encuentran embebidos en el llamado puente norte (North Bridge) de la placa base. PC2-8600 o DDR2-1066: funciona a un máx de 1066,6 MHz. En comparación con los integrados de memoria DRAM actuales, la 1103 es primitiva en varios aspectos, pero tenía un desempeño mayor que la memoria de núcleos.
En el campo del Smartphone, las aplicaciones cada vez se hacen más pesadas, por lo tanto necesitan más RAM, claro está que las RAM de estos dispositivos no tienen la misma capacidad y soporte que la de un ordenador, sin embargo cumplen con el mismo propósito. Junto a la Memoria ROM, forman el espacio del terminal que se encarga de guardar todos los datos que ingresan a este. Las memorias DDR 2 son una mejora de las memorias DDR (Double Data Rate), que permiten que los búferes de entrada/salida trabajen al doble de la frecuencia del núcleo, permitiendo que durante cada ciclo de reloj se realicen cuatro transferencias. Durante el encendido de la computadora, la rutina POST verifica que los módulos de RAM estén conectados de manera correcta. «RAM» redirige aquí. El esquema de direccionamiento[2] se convirtió en un estándar de facto debido a la gran popularidad que logró esta referencia de DRAM. Conceptodefinicion.de, Redacción. Los módulos DIMM DDR 3 tienen 240 pines, el mismo número que DDR 2; sin embargo, los DIMMs son físicamente incompatibles, debido a una ubicación diferente de la muesca. Los tipos disponibles son: Las memorias DDR 3 son una mejora de las memorias DDR 2, proporcionan significantes mejoras en el rendimiento en niveles de bajo voltaje, lo que lleva consigo una disminución del gasto global de consumo.
Este aviso fue puesto el 31 de octubre de 2015. Significado de RAM diccionario. ( Última edición:18 de julio del 2019). La necesidad de hacer intercambiable los módulos, y de utilizar integrados de distintos fabricantes, condujo al establecimiento de estándares de la industria como los Joint Electron Device Engineering Council (JEDEC). La Memoria RAM es un chip o tarjeta que forma parte de un dispositivo electrónico como un ordenador o un teléfono que sirve para el almacenamiento de información o datos de acceso directo. Se fabricaban con tiempos de acceso de 70 ó 60 ns y fueron muy populares en sistemas basados en el 486 y los primeros Pentium. RAM son una siglas en inglés que significan “Random Access Memory” al traducirlo al español obtenemos “Memoria de Acceso Aleatorio”. Con el tiempo se hizo obvio que la instalación de RAM sobre el impreso principal, impedía la miniaturización , entonces se idearon los primeros módulos de memoria como el SIPP, aprovechando las ventajas de la construcción modular. La RAM es solo una variedad de la memoria de acceso aleatorio: las ROM, memorias Flash, caché (SRAM), los registros en procesadores y otras unidades de procesamiento también poseen la cualidad de presentar retardos de acceso iguales para cualquier posición.
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